تعداد بازدید: ۴۴۷
پژوهشگران با استفاده از نانولوله‌ کربنی موفق به ساخت ترانزیستوری با عملکرد بالا شدند، این ترانزیستور در مقیاس آزمایشگاهی ساخته شده است
کد خبر: ۷۰۲۵۲
تاریخ انتشار: ۲۲ بهمن ۱۳۹۵ - ۱۶:۴۸
ساخت ترانزیستور با نانولوله‌ کربنی در مقیاس آزمایشگاهی
به گزارش سرمدنیوز: از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، یک تیم تحقیقاتی چینی از دانشگاه پکن موفق به ساخت ترانزیستور مبتنی بر نانولوله‌های کربنی شد که عملکرد مناسبی دارد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths در نشریه ساینس به چاپ رسیده است. این گروه تحقیقاتی در این مقاله نشان دادند که چگونه می ‌توان با استفاده از نانولوله کربنی ترانزیستور ساخت.

تمام افراد فعال در کسب و کار کامپیوتر از محدودیت‌ های ترانزیستورهای سیلیکونی مطلع هستند، به طوری که با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها باید به دنبال جایگزینی برای سیلیکون بود، به همین دلیل محققان درصدد استفاده از نانولوله ‌کربنی هستند؛ هرچند که این کار نیز با چالش‌ هایی روبرو است.

در این پروژه محققان موفق شدند در مقیاس آزمایشگاهی اقدام به ساخت ترانزیستور با کمک نانولوله‌های کربنی کنند، هرچند این روش برای تولید انبوه مناسب نیست.

محققان برای ساخت این ترانزیستور از راهبرد جدیدی استفاده کردند، آنها به جای رشد نانو لوله ‌های کربنی با خواص مورد نظر، نانو لوله ‌های مختلفی را رشد داده و به شکل تصادفی روی سطح سیلیکون قرار داده و ترانزیستور تولید کردند، بنابراین نمی ‌توان از این راهبرد برای تولید انبوه استفاده کرد، اما امکان ساخت ترانزیستور برای انجام آزمایش با این روش وجود دارد.

هنوز مشکل تولید انبوه با استفاده از الکترودهای رایج وجود دارد. این گروه تحقیقاتی با یک روش جدید، ترانزیستور بسیار کوچکی ساختند که با نصف ولتاژ رایج قادر به تولید جریان بالاتری نسبت به تراتزیستورهای استاندارد CMOS است. همچنین این ترانزیستور سریع ‌تر از ترانزیستورهای رایج بوده که دلیل این امر تاخیر کوتاه در فرآیند سوئیچ است.

انجام این پروژه در چین اهمیت زیادی دارد؛ چرا که نشان می ‌دهد سرمایه‌ گذاری انجام شده روی تحقیقات نانولوله ‌های کربنی در این کشور برای یافتن جایگزینی برای سیلیکون به نتیجه رسیده است.

ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانولوله ‌کربنی که دارای دروازه‌ای به طول ۵ نانومتر است، می‌ تواند عملکرد بهتری از همتایان سیلیکونی خود داشته باشد.

این گروه نشان داد استفاده از گرافن در کنار نانولوله کربنی سرعت کار این ترانزیستور را در ولتاژهای پایین افزایش می ‌دهد.
نظر شما
نام:
ایمیل:
* نظر: